收藏本站
DMP21D5UFB4
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.9
D = 0.3
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
0.001
D = 0.005
Single Pulse
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 141 ° C/W
Duty Cycle, D = t1/t2
0.000001
0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
A
X2-DFN1006-3
A1
Dim Min Max Typ
A ? 0.40 ?
D
b1
A1
b1
b2
D
E
0 0.05 0.02
0.10 0.20 0.15
0.45 0.55 0.50
0.95 1.05 1.00
0.55 0.65 0.60
E
b2
e
e
? ?
0.35
L1
L2
0.20 0.30 0.25
0.20 0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
C
X 1
Dimensions
Z
Value (in mm)
1.1
X
G2
G1
G2
X
X1
0.3
0.2
0.7
0.25
Y
G1
Y
C
0.4
0.7
Z
DMP21D5UFB4
Document number: DS35284 Rev. 5 - 2
5 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMP2215L-7 MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
DMP2225L-7 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
DMP2240UDM-7 MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26
DMP2240UW-7 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
DMP22D4UFA-7B MOSFET P CH 20V 330MA
DMP22D6UT-7 MOSFET P-CH 20V 430MA SOT-523
DMP2305U-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT-23
DMP3008SFG-7 MOSF P CH 30V POWERDI 3333-8
相关代理商/技术参数
DMP21D5UFD-7 功能描述:MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2215L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2215L-7 功能描述:MOSFET P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2225L 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2225L-7 功能描述:MOSFET P-Channel 1.08W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2225LQ-7 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage
DMP2240UDM 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2240UDM-7 功能描述:MOSFET Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube